Разработано первое в России устройство для создания сильноточных ионных имплантеров, необходимых в микроэлектронике
- 25.12.2024
Последние тридцать лет микроэлектронная промышленность всего мира развивается благодаря имплантерным технологиям – они позволяют внедрять в поверхность кремниевой пластины легирующие добавки различных примесей (бора, фтора, мышьяка), создавая тем самым структуры с заданными характеристиками. Установки для реализации подобной технологии называются «ионные имплантеры», а одним из основных их элементов являются ионные источники, образующие легирующие потоки ионов требуемой энергии. Специалисты Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН (ИЯФ СО РАН) создали прототип каспового, то есть имеющего остроконечную структуру магнитного поля, ионного источника. Первые эксперименты показали, что устройство действительно позволяет работать с ленточными ионными пучками любой ширины, что обеспечивает качественное нанесение примесей, и подходит для создания сильноточных имплантеров необходимых в микроэлектронике.